tasani.ruУчёные из Японии достигли значимого результата, экспериментально подтвердив наличие альтермагнетизма в тонких плёнках диоксида рутения (RuO2). Это явление было обнаружено всего год назад, и новая работа является важным шагом в направлении создания инновационных устройств для магнитной записи. Возможно, в ближайшем будущем жёсткие диски и память MRAM претерпят значительные изменения.
Исследование было осуществлено группой экспертов из Национального института материаловедения (NIMS), Токийского университета, Киотского института технологии и Тохокуского университета. Открытие стало возможным благодаря прецизионному эпитаксиальному росту RuO2 на подложках оксида алюминия (Al2O3), что дало возможность изучить его уникальные спиновые свойства. Результаты эксперимента соответствуют теоретическим моделям и были получены с применением современных методов анализа, таких как рентгеновская дифракция и магнитный линейный дихроизм.
Альтермагнетизм представляет собой третий ключевой тип магнетизма, который сочетает свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков. В отличие от ферромагнетиков, альтермагнетики не имеют постоянной намагниченности и сохраняют стабильность даже в условиях внешних магнитных полей, что уменьшает количество ошибок в памяти. В сравнении с антиферромагнетиками, альтермагнетики обладают более ярко выраженными спиновыми состояниями, что облегчает их использование в технологиях записи и считывания данных. Это особенно важно на фоне увеличивающегося потребления энергии в современных дата-центрах.
Выдающееся открытие японских учёных прокладывает путь для разработки новых типов запоминающих устройств. На базе альтермагнитных материалов, таких как RuO2, возможно создание более быстрых и эффективных альтернатив для MRAM, а также усовершенствованных версий SSD и HDD. Эти устройства будут отличаться меньшим энергопотреблением и высокой скоростью работы, что критически важно для задач, связанных с большим объёмом данных и требующих высокой производительности.
